Izvorni znanstveni članak

https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177

Wide Band Gap poluvodički sklopivi za učinsku elektroniku

José Millán ; Centro Nacional de Microelectrónica, CNM, Instituto de Microelectrónica de Barcelona, IMB, CSIC, Campus UAB, Spain
Philippe Godignon ; Centro Nacional de Microelectrónica, CNM, Instituto de Microelectrónica de Barcelona, IMB, CSIC, Campus UAB, Spain
Amador Pérez-Tomás ; Centro Nacional de Microelectrónica, CNM, Instituto de Microelectrónica de Barcelona, IMB, CSIC, Campus UAB, Spain

Sažetak

U današnje vrijeme napredak u polju učinske elektronike prvenstveno dolazi razvojem i uporabom Wide Band Gap (WGB) poluvodičkih uređaja. WBG poluvodi či kao Sic, GaN i dijamant pokazuju iznimna svojstva materijala, što omogućuje korištenje pri brzim promjenama stanja, visokim naponima i visokim temperaturama. Ova jedinstvena svojstva osiguravaju kvalitativne promjene njihovom primjenon u obradi energije. Od početnih energenata (ugljen, ulje, plin ili obnovljivi izvori) do završne faze korištenja (kućanstvo, prijevoz, industrija) električna energija prolazi kroz različite faze pretvorbe energije koje su trenutno prilično neefikasne o čemu govori podatak da se samo 20% početne energije iskoristi u konačnoj fazi. WGB poluvodiči povečavaju efikasnost pretvorbe zahvaljujući izvanrednim svojstvima materijala. U radu je dan pregled nedavnog napretka u razvoju visoko-naponskih WGB poluvodiča, posebno SiC i GaN te je dan pregled svojstava predstavljenih ispravljača i sklopki. Također u radu su opisani materijali i tehnologija WGB poluvodičkih uređaja te je opisan budući trend u razvoju uređaja i njihovom korištenju u industriji.

Ključne riječi

SiC; GaN; uređaji učinske elektronike; ispravljači; MOSFET; HEMT

Hrčak ID:

84008

URI

https://hrcak.srce.hr/84008

Datum izdavanja:

1.6.2012.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 9.352 *