Skoči na glavni sadržaj

Automatika : časopis za automatiku, mjerenje, elektroniku, računarstvo i komunikacije, Vol. 53 No. 2, 2012.

Izvorni znanstveni članak

https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178

Prikaz stanja silicijevih MOS upravljanih učinskih sklopova i PiN ispravljača

José Rebollo ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Ignasi Cortés ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Xavier Perpiñà orcid id orcid.org/0000-0001-5946-5580 ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
José Millán ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain

Puni tekst: engleski pdf 1.828 Kb

str. 117-127

preuzimanja: 2.671

citiraj

Sažetak

U posljednjim desetljećima svjedočimo razvoju sustava učinske elektronike u pogledu povećanja efikasnosti i pouzdanosti. Napredak je omogućen zahvaljujući izvanrednom napredku koji je postignut na području učinskih poluvodiča. Pojava MOS upravljanih učinskih sklopova s visokom ulaznom impedancijom, kao što su MOSFET i IGBT, rezultirao je probojem u projektiranju i proizvodnji sustava učinske elekronike. Ovaj članak daje uvid u napredak koji je u posljednje vrijeme ostvaren u razvoju silicijeve MOS upravljane učinske elektronike i ispravljača. Uz dosadašnji razvoj tehnologije navedenih komponenata, u članku je uključen i osvrt na revolucionarne koncepte budućeg razvoja. Konkretno, u radu su objašnjene tehnologija rova za MOSFET i korištenje koncepta super spoja za probijanje granice jednodimenzionalnog silicija. Razmatrana su i poboljšanja IGBT-ova koja se baziraju na uporabi tankih pločica a strategijama optimiranja distribucije plazme u PT IGBT-ovima za vrijeme aktivnog stanja. Konačno, prikazan je i napredak u tehnologiji PiN dioda koji uključuje nove strukturalne koncepte katode i anode. Ovi pristupi su omogućili smanjenje ukupnih gubitaka PiN diode i blagu dinamiku reverznog oporavka, što rezultira povećanjem robusnosti sklopa.

Ključne riječi

MOS upravljani učinski sklopovi; učinski MOSFET; CoolMOS; super-junction sklopovi; IGBT sklopovi; PiN ispravljači

Hrčak ID:

84010

URI

https://hrcak.srce.hr/84010

Datum izdavanja:

1.6.2012.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 3.520 *