hrcak mascot   Srce   HID

Original scientific paper
https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178

Prikaz stanja silicijevih MOS upravljanih učinskih sklopova i PiN ispravljača

José Rebollo ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Ignasi Cortés ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Xavier Perpiñà   ORCID icon orcid.org/0000-0001-5946-5580 ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
José Millán ; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain

Fulltext: english, pdf (2 MB) pages 117-127 downloads: 2.457* cite
APA 6th Edition
Rebollo, J., Cortés, I., Perpiñà, X. & Millán, J. (2012). A Review of Si MOS-gated Power Switches and PiN Rectifiers. Automatika, 53 (2), 117-127. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178
MLA 8th Edition
Rebollo, José, et al. "A Review of Si MOS-gated Power Switches and PiN Rectifiers." Automatika, vol. 53, no. 2, 2012, pp. 117-127. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178. Accessed 6 Dec. 2021.
Chicago 17th Edition
Rebollo, José, Ignasi Cortés, Xavier Perpiñà and José Millán. "A Review of Si MOS-gated Power Switches and PiN Rectifiers." Automatika 53, no. 2 (2012): 117-127. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178
Harvard
Rebollo, J., et al. (2012). 'A Review of Si MOS-gated Power Switches and PiN Rectifiers', Automatika, 53(2), pp. 117-127. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178
Vancouver
Rebollo J, Cortés I, Perpiñà X, Millán J. A Review of Si MOS-gated Power Switches and PiN Rectifiers. Automatika [Internet]. 2012 [cited 2021 December 06];53(2):117-127. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178
IEEE
J. Rebollo, I. Cortés, X. Perpiñà and J. Millán, "A Review of Si MOS-gated Power Switches and PiN Rectifiers", Automatika, vol.53, no. 2, pp. 117-127, 2012. [Online]. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.178

Abstracts
U posljednjim desetljećima svjedočimo razvoju sustava učinske elektronike u pogledu povećanja efikasnosti i pouzdanosti. Napredak je omogućen zahvaljujući izvanrednom napredku koji je postignut na području učinskih poluvodiča. Pojava MOS upravljanih učinskih sklopova s visokom ulaznom impedancijom, kao što su MOSFET i IGBT, rezultirao je probojem u projektiranju i proizvodnji sustava učinske elekronike. Ovaj članak daje uvid u napredak koji je u posljednje vrijeme ostvaren u razvoju silicijeve MOS upravljane učinske elektronike i ispravljača. Uz dosadašnji razvoj tehnologije navedenih komponenata, u članku je uključen i osvrt na revolucionarne koncepte budućeg razvoja. Konkretno, u radu su objašnjene tehnologija rova za MOSFET i korištenje koncepta super spoja za probijanje granice jednodimenzionalnog silicija. Razmatrana su i poboljšanja IGBT-ova koja se baziraju na uporabi tankih pločica a strategijama optimiranja distribucije plazme u PT IGBT-ovima za vrijeme aktivnog stanja. Konačno, prikazan je i napredak u tehnologiji PiN dioda koji uključuje nove strukturalne koncepte katode i anode. Ovi pristupi su omogućili smanjenje ukupnih gubitaka PiN diode i blagu dinamiku reverznog oporavka, što rezultira povećanjem robusnosti sklopa.

Keywords
MOS upravljani učinski sklopovi; učinski MOSFET; CoolMOS; super-junction sklopovi; IGBT sklopovi; PiN ispravljači

Hrčak ID: 84010

URI
https://hrcak.srce.hr/84010

[english]

Visits: 2.893 *