Izvorni znanstveni članak
I − V karakteristike Ag/n-Si(111) Schottkyjeve diode načinjene pomoću ioniziranog snopa nakupina
Bruno Cvikl
; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor, and "Jozef Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenia
Tomo Mrđen
; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor, and "Jozef Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenia
Sažetak
Istraživana je temperaturna ovisnost efektivne visine Schottkyjeve barijere, φb, i faktora idealnosti, n, analizom I − V mjerenja sa Ag/n-Si(111) strukturama, postignutim nanošenjem ioniziranih nakupina Ag atoma, u ovisnosti o naponu ubrzanja nakupina. Izložena je hipoteza da se pored redovne Ag/Si Schottkyjeve barijere javlja druga potencijalna barijera, vjerojatno na pretpostavljenoj oštroj granici unutar Si pločice, koja dijeli područje obogaćeno sa Ag+ od osiromašenog područja n-Si. Smatra se da prijenos naboja za Ua=0 upravlja pravilna termionska / emisija elektrona koji tuneliraju kroz barijeru metal-poluvodič, pojačana difuzijom nositelja naboja preko višerazinskih rekombinacijskih procesa.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299497
URI
Datum izdavanja:
2.5.1995.
Posjeta: 142 *