Izvorni znanstveni članak
Jednostavna teorijska analiza kapacitancije magnetskih vrata u MOS strukturi p-kanalnog inverzijskog sloja na teluru
Kamakhya P. Ghatak
; Department of Electronic Science, University of Calcutta, University College of Science and Technology, 92 Acharya Prafulla Chandra Road, Calcutta 700 009, India
Sambhu N. Banik
; Department of Physics, Dandirhat Nagendra Kumar Uchcha Siksha Niketan, P.O. Dandirhat, Dt. North 24 Parganas, West Bengal, India
Sažetak
Proučavaju se kapacitancija vrata MOS strukture p–kanalnih inverzijskih slojeva na teluru u magnetskom polju na osnovi k^→ · p^→ teorije. Pokazuje se da kapacitancija vrata mijenja periodički s rastućim magnetskim poljem. Dobiveni rezultati svode se u modelu paraboličkih vrpci, uz određene uvjete, na poznate izraze.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299593
URI
Datum izdavanja:
1.3.1996.
Posjeta: 169 *