Izvorni znanstveni članak
Fotonima stimulirana desorpcija vodikovih iona iz poluvodičkih površina: dokazi izravnih i posrednih procesa
M. Petravić
; Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physical Sciences and Engineering, The Australian National University, Canberra ACT 0200, Australia
A. Hoffman
; Chemistry Department and The Solid State Institute, Technion, Haifa 32000, Israel
G. Comtet
; Laboratoire pour l'Utilisation du Rayonnement Electromagnétique (LURE), Bâtiment 209 D, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
L. Hellner
; Laboratoire de Photophysique Moléculaire, CNRS, Bâtiment 213, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
G. Dujardin
; Laboratoire de Photophysique Moléculaire, CNRS, Bâtiment 213, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
Sažetak
Proučavali smo fotonima stimuliranu desorpciju pozitivnih iona vodika iz hidrogeniziranih površina dijamanta i GaAs, za fotone energije oko energija vezanja unutarnjih elektrona atoma podloge. U slučaju površine dijamanta, usporedba prinosa H+ i fine strukture blizu-rubne apsorpcije X-zračenja (NEXAFS) za elektrone odabranih kinetičkih energija otkriva dva različita procesa koji uzrokuju fotodesorpciju: posredan proces uz sudjelovanje sekundarnih elektrona iz osnovnog materijala, i izravan proces uzrokovan uzbudom unutarnjih elektrona površinskih atoma ugljika vezanih na vodik. Usporedba fotodesorpcije H+ i emisije elektrona u ovisnosti o energiji fotona iz polarnih i nepolarnih površina GaAs daje jasne dokaze za izravne procese desorpcije uzrokovane ionizacijom odgovarajućih unutarnjih stanja veznih atoma.
Ključne riječi
Hrčak ID:
301020
URI
Datum izdavanja:
3.10.1999.
Posjeta: 184 *