Izvorni znanstveni članak

Fononska vodljivost u jako punjenom siliciju n-tipa

M. K. Roy ; Department of Physics, University of Chittagong, Chittagong, Bangladesh
M. Hoque ; Department of Physics, University of Chittagong, Chittagong, Bangladesh

Sažetak

Ako je koncentracija donora u poluvodiču n-tipa Nex > Nc, gdje je Nc kritična koncentracija koju je definirao Mott, uzorak postaje metal. Izraz za brzinu elektronskofononskog smiraja u takvim poluvodičima izveli su T. Sota i K. Suzuki samosuglasnom metodom. U nedavnom radu ga je izmijenio M. K. Roy i ovdje se primjenjuje kako bi se uzela u obzir stvarna slika raspršenja fonona u jako punjenom siliciju ntipa. Primjenjuje se kutni prosjek potencijala deformacije za različite polarizacijske vektore λ koji su izvedeni uvođenjem sfernih koordinata. Izračunali smo fononsku vodljivost K za silicij punjen s As i P za Nex > Nc. Postigli smo dobro slaganje naših izračunatih vrijednosti s mjernim podacima M. E. Brinsona i W. Dunstana.

Ključne riječi

Hrčak ID:

301647

URI

https://hrcak.srce.hr/301647

Datum izdavanja:

1.10.2003.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 161 *