Izvorni znanstveni članak
Strukturna, elastična, elektronska i rešetkina svojstva legura GaPxAsySb1−x−y S rešetkama priležnim dvjema podlogama
B. Ghebouli
; Laboratory for Studying Surfaces and Interfaces of Solid Maretials, University Ferhat Abbas, Sétif 19000, Algeria
M. A. Ghebouli
; Departement of Physics, University Center, Bordj-Bou-Arréridj 34000, Algeria
M. Fatmi
; Research Unit on Emerging Materials, University Ferhat Abbas, Sétif 19000, Algeria
Sažetak
Podaci o energijskim procijepima, parametrima rešetke i prileživanju na dostupne podloge je preduvjet mnogin primjenama. Rabimo metodu ravnih valova s pseudopotencijalom, primijenjenu u programu ABINIT, da bismo predvidjeli procijepe energijskih vrpci, elastične konstante i dinamička svojstva rešetaka legure GaPxAsySb1−x−y s četiri sastavnice, priležne na GaAs i InP podloge. Odredili smo područja sastava za koja rešetke priliježu na GaAs i InP. Postigli smo vrlo dobar sklad izračunatih vrijednosti s eksperimentalnim podacima za polazne legure GaAs i GaAs0.5Sb0.5. Istražili smo ovisnost izravnih i neizravnih procijepa vrpci o sastavu. Opaža se pojava faznog prijelaza za sadržaj As od 0.018 i 0.576 u GaPxAsySb1−x−y na InP i GaAs podlogama. Statičke i visokofrekventne dielektrične konstante te indeks loma su obrnuto razmjerni (razmjerni) širini osnovnog procijepa vrpci u GaPxAsySb1−x−y na InP and GaAs podlogama. Proučavamo promjene elastičnih konstanti, optičkih fononskih frekvencija (ωTO i ωLO) te Bornovog efektivnog naboja Z ∗ u ovisnosti o sadržaju As.
Ključne riječi
Hrčak ID:
302804
URI
Datum izdavanja:
1.9.2010.
Posjeta: 187 *