Skoči na glavni sadržaj

Fizika : a journal of experimental and theoretical physics, Vol. 2 No. 3, 1970.

Izvorni znanstveni članak

Električna i fotoelektrična svojstva indium selenida

B. Čelustka ; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb
A. Peršin ; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb
D. Bidjin ; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb

Puni tekst: engleski pdf 5.510 Kb

str. 137-143

preuzimanja: 23

citiraj

Sažetak

U radu su prikazana mjerenja električne vodljivosti, fotovodljivosti i rendgenska mjerenja na monokristalima indium selenida. Pokazano je da metoda preparacije ima utjecaj na spomenuta svojstva. Intrinsična veličina zabranjene zone, izmjerena pomoću ,temperaturne ovisnosti vodljivosti, iznosi 0.95 eV, dok veličina zabranjene zone. dobivena fotovodljivosti, iznosi 1.18 eV. Mjerenje relaksacije fotovodljtvosti daje energetski položaj stupica za šupljine od 0.62 eV.

Ključne riječi

indium selenid; električna vodljivost; fotovodljivost

Hrčak ID:

321416

URI

https://hrcak.srce.hr/321416

Datum izdavanja:

1.7.1970.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 114 *