Original scientific paper
Svojstva višeslojnih materijala ozračenih jakim neutronskim tokovima
Daniel Rajniak
; Department of Microelectronics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, STU, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovak Republic
Ladislav Harmatha
; Department of Microelectronics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, STU, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovak Republic
Milan Ziska
; Department of Microelectronics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, STU, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovak Republic
Otto Csabay
; Department of Microelectronics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, STU, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovak Republic
Viera Dubravcová
; Department of Microelectronics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, STU, Ilkovičova 3, 812 19 Bratislava, Slovak Republic
Abstract
Višeslojni materijali na osnovi silicija izloženi su brzim neutronima tokovima od 1015 do 1019 n/cm2 . Mjerenja C − V , prijelazna spektroskopija dubokih stanja i I − V mjerenja načinjeni su radi analize svojstava višeslojeva kao i SiO2 – (nsilicij) te metal – (n-silicij) granice. Cini se da su glavni razlog smanjenja nositelja opažene dvojne šupljine i E-centri, koji ovise o početnoj koncentraciji dodataka (dopanata) u sloju. Pokazano je da obje istraživane granice sadrže klopke uzrokovane ozračivanjem.
Keywords
Hrčak ID:
299469
URI
Publication date:
2.5.1995.
Visits: 441 *