Original scientific paper

Efekt memorijskog prekapčanja u monokristalima indij selenida (InSe)

M. Peršin ; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb
B. Čelustka ; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb

Abstract

Ustanovljeno je postojanje efekta memorijskog prekapčanja u slojevitim monokristalima indij selenida sa heksagonalnom strukturom u smjeru paralelnom s osi c kristala kada priključeno vanjsko električno polje ima vrijednost veću od ~ 1 · 104 V/cm. I-V karakteristike dobivene uz upotrebu izvora napajanja stalne struje pokazuju područje negativnog diferencijalnog električnog otpora iza kojeg slijedi nagli porast struje i temperature uzorka, koji prethode naglom prijelazu iz visokootpornog ili OFF stanja u niskootporno ili ON stanje uzorka. Omjer električkih otpora u OFF i ON stanju (R_OFF/R_ON) je reda veličine 103 . OFF stanje može se ponovno uspostaviti primjenom dovoljno jakog strujnog pulsa kroz uzorak ili pak naglim smanjenjem dovoljno jake struje koja teče uzorkom u ON stanju (oko 10 mA ili više). Pretpostavljeno je da primjenjeno električno polje vodi do lokalne preraspodjele atoma između elektroda duž nekog puta paralelnog s osi c uzorka, te do stvaranja visokovodljivog "mosta" odgovornog za niski otpor uzorka u ON stanju. Pucanje vodljivog "mosta" zagrijavanjem Jouleovom toplinom i naglim hlađenjem vraća uzorak ponovno u visokootporno stanje.

Keywords

Hrčak ID:

322941

URI

https://hrcak.srce.hr/322941

Publication date:

6.1.1976.

Article data in other languages: english

Visits: 0 *