Izvorni znanstveni članak
Početna istraživanja Ag/n–Si(111) Schottkyjeve fotodiode načinjene snopom ioniziranih atomskih nakupina
Bruno Cvikl
; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Tomo Mrđen
; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Matjaž Koželj
; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Dean Korošak
; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Sažetak
Izmjerena je foto-osjetljivost Ag/n-Si(111) Schottkyjeve fotodiode koja je načinjena snopom ioniziranih atomskih nakupina uz Ag+ napon ubrzanja jednak nuli. Ustanovljena je visoka kvantna djelotvornost (do 85%) i osjetljivost od 0.35 A/W uz zaprečni napon. Za niske zaprečne napone (do 1 V) fotostruja pokazuje neobičnu ovisnost debljine sloja osiromašenja o naponu. Nije poznato objašnjenje tih opažanja.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299495
URI
Datum izdavanja:
2.5.1995.
Posjeta: 297 *