Izvorni znanstveni članak

Selektivno jetkani nizovi p–n spojeva u GaAs

Károly Somogyi ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P.O.B. 76., H-1325 Hungary
Szilárd Varga ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P.O.B. 76., H-1325 Hungary
Chantal Grattepain ; Laboratoire de Physique des Solides of CNRS, Meudon-Bellevue, 92195 Meudon Cedex, 1. Pl. A. Briand, France
László Dobos ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P.O.B. 76., H-1325 Hungary

Sažetak

Primijenjeno je istovremeno dodavanje S i Zn tijekom rasta višeslojnih epitaksijskih struktura GaAs iz plinovite faze. SIMS mjerenja ukazuju da prisutnost S i Zn tijekom rasta sloja ne utječe na njihovo ugrađivanje. Epitaksijske strukture sa n– p–n–p–n–p–n nizom slojeva postignute su mijenjanjem dodavanja S pri stalnom parcijalnom tlaku Zn para. Debljine slojeva bile su 0.3 i 3 µm. SIMS profili pokazuju oštre granice spojeva. Selektivnim elektrokemijskim jetkanjem postignute su lamele GaAs n–tipa.

Ključne riječi

Hrčak ID:

299499

URI

https://hrcak.srce.hr/299499

Datum izdavanja:

2.5.1995.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 358 *