Original scientific paper

Zamke za nositelje naboja u stupnjevanim InGaAS fotodiodama s velikim sadržajem indija

Natko B. Urli ; Ruđer Bošković Institute, POB 1016, 10001 Zagreb, Croatia
Vladimir S. Ban ; Photodiode-Laserdiode, Inc., Princeton, NJ 08540, U.S.A.

Abstract

Električnim mjerenjima istražena su svojstva zamki za nositelje naboja koje nastaju pri izradi fotodioda iz In0.82Ga0.18As metodom epitaksijalnog rasta iz parne faze (VPE). U fotodiodama, koje su naknadno napuštane nakon izrade na povišenoj temperaturi, zapažene su dvije skupine lokaliziranih nivoa zamki: jedan plići na Ec − 0, 14 eV i druge dublje nešto ispod sredine zabranjenog energijskog pojasa. Ustanovljeno je da su električki aktivirane dislokacije primjesama odgovorne za pojavu dubljih nivoa.

Keywords

Hrčak ID:

299563

URI

https://hrcak.srce.hr/299563

Publication date:

1.9.1995.

Article data in other languages: english

Visits: 172 *