Skoči na glavni sadržaj

Izvorni znanstveni članak

Formiranje i ispravljačka svojstva barijere na kontaktu između CuSe i Mg


Puni tekst: engleski pdf 7.587 Kb

str. 41-55

preuzimanja: 12

citiraj


Sažetak

Rad opisuje rezultate istraživanja ispravljačkog efekta koji se javlja na kontaktu između bakar selenida i magnezija. Prethodna i nedavno objavljena istraživanja električnih svojstava samog bakar selenida pokazala su da on ima svojstva karakteristična za metale. Ispravljački efekt mora se zato pripisati nekoj površinskoj barijeri. Opažena vremenska zavisnost struje kroz kontakt i njegova strujno naponska karakteristika objašnjena je u radu na temelju zakonitosti kemijske reakcije između CuSe i Mg koja se zbiva pod utjecajem električnog polja. Kao rezultat te reakcije stvara se sloj magnezij selenida, MgSe, vrlo visokog električnog otpora. Promjene u debljini sloja uzrokuju efekt ispravljanja. Izvedene relacije opisuju eksperimentalne krivulje sa zadovoljavajućom točnošću. One omogućuju izračunavanje ionske vodljivosti magnezij selenida. Dobivena vrijednost 2.3 · 10^-6 Ω^-1 cm^-1 predstavlja prvi objavljeni podatak o električnoj vodljivosti tog spoja.

Ključne riječi

Hrčak ID:

321681

URI

https://hrcak.srce.hr/321681

Datum izdavanja:

2.2.1972.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 66 *