Original scientific paper

Einsteinova relacija u n-kanalnim inverzionim slojevima na ternarnim poluvodičima

Kamakhya P. Ghatak ; Department of Electronics and Telecommunication Engineering, University of Jadavpur, Calcutta-700 032, West Bengal, India

Abstract

Razmatrana je Einsteinova relacija za omjer difuzivnosti i pokretljivosti nosilaca naboja u n-kanalnim inverzionim slojevima na ternarnim poluvodičima u limesu jakih i slabih električnih polja. Kao primjer uzet je n-kanalni inverzioni sloj na Hg1-xCdxTe. Nađeno je, na osnovi Kaneovog modela s tri vrpce da omjer difuzivnosti i pokretljivosti raste porastom površinskog električnog polja u oba limesa.

Keywords

Hrčak ID:

331441

URI

https://hrcak.srce.hr/331441

Publication date:

5.7.1988.

Article data in other languages: english

Visits: 410 *