Izvorni znanstveni članak
Visokobrzinski odziv asimetričnog Fabry-Perotovog refleksijskog modulatora zasnovanog na višestrukoj GaAs/AlGaAs kvantnoj jami
Muhammad Nawaz
; Institute of Physics, Electronics Group, University of Oslo, Norway
Borgar Torre Olsen
; Institute of Physics, Electronics Group, University of Oslo, Norway
Karen McIlvaney
; Institute of Physics, Electronics Group, University of Oslo, Norway
Sažetak
Načinjena su istraživanja odziva asimetričnog Fabri-Perotovog (ASFP) refleksijskog modulatora zasnovanog na GaAs/AlGaAs višestrukoj kvantnoj jami na visokim frekvencijama. Mjereni pojas modulatora na razini 3 dB bio je 600 MHz pri naponu od samo 5 V na valnoj duljini od 834 nm. Kontrastni omjer modulatora iznosio je 8.9 dB za napon signala od 13 V za valnu duljinu od 862 nm.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299387
URI
Datum izdavanja:
1.5.1993.
Posjeta: 420 *