Izvorni znanstveni članak

Teorijska analiza utjecaja degeneracije nosilaca naboja na duljinu zasjenjenja u degeneriranim ternarnim halkopiritskim poluvodičima

Kamakhyap Ghatak ; Centre of Advanced Study in Radio Physics and Eleetronics, J, Girish Vidyaratna Lane, Calcutta-700009, India
Manabendra Mondal ; Department of Physics, University College of Science and Technology, 92, Acharya Prafulla Chandra Road, Calcutta-700009, India

Sažetak

Rad je pokušaj teorijskog proučavanja utjecaja degeneracije nosilaca naboja na Debyeevu duljinu zasjenjenja u ternarnim halkopiritskim poluvodičima, uzimajući za primjer degenerirani n-CdGeAs2. Na osnovu novoizvedenog energetskog spektra koji uključuje razne vrste anizotropije nađeno je da duljina zasjenjenja prema očekivanju postaje manja kod veće koncentracije elektrona, i da tetragonalno kristalno polje efektivno smanjuje tu duljinu. Iz izvedenih izraza mogu se dobiti odgovarajući poznati rezultati za izotropne parabolične energetske vrpce.

Ključne riječi

Hrčak ID:

331136

URI

https://hrcak.srce.hr/331136

Datum izdavanja:

2.12.1986.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 529 *