Izvorni znanstveni članak
Selektivno jetkani nizovi p–n spojeva u GaAs
Károly Somogyi
; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P.O.B. 76., H-1325 Hungary
Szilárd Varga
; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P.O.B. 76., H-1325 Hungary
Chantal Grattepain
; Laboratoire de Physique des Solides of CNRS, Meudon-Bellevue, 92195 Meudon Cedex, 1. Pl. A. Briand, France
László Dobos
; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P.O.B. 76., H-1325 Hungary
Sažetak
Primijenjeno je istovremeno dodavanje S i Zn tijekom rasta višeslojnih epitaksijskih struktura GaAs iz plinovite faze. SIMS mjerenja ukazuju da prisutnost S i Zn tijekom rasta sloja ne utječe na njihovo ugrađivanje. Epitaksijske strukture sa n– p–n–p–n–p–n nizom slojeva postignute su mijenjanjem dodavanja S pri stalnom parcijalnom tlaku Zn para. Debljine slojeva bile su 0.3 i 3 µm. SIMS profili pokazuju oštre granice spojeva. Selektivnim elektrokemijskim jetkanjem postignute su lamele GaAs n–tipa.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299499
URI
Datum izdavanja:
2.5.1995.
Posjeta: 290 *