Izvorni znanstveni članak

Teorijska analiza kapaciteta upravljačke elektrode MOS struktura Si sa p-kanalnim inverzionim slojevima u uvjetima jake magnetske kvantizacije

Kamakhya P. Ghatak ; Centre of Advanced Study in Radio Physics and Electronics, 1, Girish Vidyaratna Lane, Calcutta - 700 009, lndia
Nalinaksha Chattopadhyay ; Department of Physics, University College of Science and Technology, 12, Acharya Prafulla Chandra Road, Calcutta - 700 001, lndia

Sažetak

Istraživan je kapacitet upravljačke elektrode MOS strukture Si sa p-kanalnim inverzionim slojevima u prisustvu kvantizirajućeg magnetskog polja i u granici slabog električnog polja. Teorijski su formulirani modificirani 2D energetski spektri teških, lakih i odijeljenih šupljina. Nađeno je da kapacitet vrata pokazuje oštre oscilacije sa promjenom magnetskog polja što je u suglasnosti sa eksperimentom.

Ključne riječi

Hrčak ID:

331197

URI

https://hrcak.srce.hr/331197

Datum izdavanja:

7.7.1987.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 1.001 *