Original scientific paper

AlNiGe kao nov namjenski materijal za kontakte na n–GaAs

Lajos Dávid ; Kandó Kálmán Polytechnic, Institute of Microelectronics and Technology, H-1084 Budapest, Tavaszmezö u. 17., Hungary
Balázs Kovács ; Technical University of Budapest, Department of Electronics Technology, H-1521 Budapest, Hungary
Béla Pécz ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, H-1325 Budapest, P. O. Box 76, Hungary
Imre Mojzes ; Technical University of Budapest, Department of Electronics Technology, H-1521 Budapest, Hungary
László Dobos ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, H-1325 Budapest, P. O. Box 76, Hungary
Gyula Vincze ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, H-1325 Budapest, P. O. Box 76, Hungary

Abstract

Slojevi Al(150 nm)/Ni(30 nm)/Ge(40 nm) termički su napareni na GaAs n–tipa. Uzorci su otpuštani u plinskoj smjesi H2(30%)+N2(70%) na 400 ◦C, 450 ◦C i 500 ◦C i njihovo legiranje je ispitivano elektronskom mikroskopijom. Suprotno objavljenim rezultatima, I − V krivulje pokazuju da spojevi zadržavaju ispravljačko svojstvo nakon otpuštanja na svim primijenjenim temperaturama. Temperaturna ovisnost parametara koji su bili određeni na osnovi ovisnosti struje o naponu ili kapaciteta o naponu potvrđuju da je vodenje struje posljedica anomalne termionske emisije polja.

Keywords

Hrčak ID:

299597

URI

https://hrcak.srce.hr/299597

Publication date:

2.5.1996.

Article data in other languages: english

Visits: 509 *