Skoči na glavni sadržaj

Izvorni znanstveni članak

Izmijenjeni dvodimenzijski analitički modeli, strujno-naponske karakteristike i napon proboja planarnog GaAs mesfeta

Rifat Ramović ; Faculty of Electrical Engineering, Bulevar Revolucije 73, 11120 Belgrade, Yugoslavia
Robert Andrin ; "Telekom Srbija" a.d., Department of Mobile Communications, Takovska 2, 11000 Belgrade, Yugoslavia


Puni tekst: engleski pdf 323 Kb

str. 107-118

preuzimanja: 89

citiraj


Sažetak

Predstavljamo analitičko modeliranje planarnog GaAs MESFETa i određivanje strujno-naponske karakteristike i probojnog napona u uvjetima inverzne polarizacije vrata-odvod. Pomoću dvodimenzijskih analitičkih rješenja mogu se izračunati raspodjela polja, koncentracije nositelja naboja i raspodjela njihovih brzina. Dobiveni računski rezultati prikazuju se u dijagramima i uspoređuju s dostupnim eksperimentalnim rezultatima.

Ključne riječi

Hrčak ID:

300881

URI

https://hrcak.srce.hr/300881

Datum izdavanja:

1.7.1998.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 632 *