Skoči na glavni sadržaj

Izvorni znanstveni članak

Koeficijenti udarne ionizacije elektronom i šupljinom u poluvodičima s jakim poljem

Abou El-Ela ; Department of Physics, Faculty of Girls, Ain Shams University, Heliopolis, Cairo, Egypt
I. M. Hamada ; Department of Physics, Faculty of Science, Tanta University, Tanta, Egypt


Puni tekst: engleski pdf 586 Kb

str. 89-104

preuzimanja: 89

citiraj


Sažetak

Načinili smo prilagodbe Ridleyvog mekog sretno-posmičnog modela eksperimentalnim podacima za GaAs, InP, Si, Ge i In0.47Ga0.53As. Postigli smo odlično slaganje teorije i eksperimentalnih podataka primjenom metode najmanjih kvadrata. Primijenili smo poopćenu Keldyshevu formulu radi uvođenja mekog faktora praga. Poopćena Keldysheva formula proizlazi iz realnih razmatranja energijskih vrpci u poluvodičima s jakim električnim poljima što odražava gustoću stanja energijskih vrpci. Izračunali smo Keldyshev faktor i nove vrijednosti srednjih slobodnih puteva. Ridleyeve and Marslandove objavljene vrijednosti za srednje slobodne puteve u dobrom su skladu s našima, ali još uvijek nalazimo velike razlike među Keldyshevim faktorima.

Ključne riječi

Hrčak ID:

301745

URI

https://hrcak.srce.hr/301745

Datum izdavanja:

1.7.2004.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 550 *