Izvorni znanstveni članak

Učinak trojnog potencijalnog bedema na svojstva elektronskog stanja suprarešetke GaAs/AlxGa1−xAs

R. Djelti ; Département de physique, Faculté des sciences, Université Abdelhamid Ibn badis, BP 227 Mostaganem, Algérie
S. Bentata ; Département de physique, Faculté des sciences, Université Abdelhamid Ibn badis, BP 227 Mostaganem, Algérie
Z. Aziz ; Département de physique, Faculté des sciences, Université Abdelhamid Ibn badis, BP 227 Mostaganem, Algérie

Sažetak

Primjenom formalizma matrice prijenosa, proučavamo koeficijent propusnosti i duljinu lokalizacije suprarešetke koja sadrži u poluvodiču trojni potencijalni bedem. Zanimaju nas slojevi GaAs/AlxGa1−xAs, jednake debljine, u kojima su slučajno odabrane dvije koncentracije x, uz uvjet da se jedna javlja tri puta, tj. proučavamo slučajan trojni bedem. Elektronska stanja suprarešetke izvodimo teorijskim razmatranjem koeficijenta propusnosti strukture minivrpci. Opažamo postojanje procesa delokalizacije ako postoji koreliran nered, što potvrđuje teorijske rezultate već poznate za slučaj dvojnog sloja.

Ključne riječi

Hrčak ID:

302137

URI

https://hrcak.srce.hr/302137

Datum izdavanja:

1.10.2006.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 190 *