Original scientific paper
Schottkyjeve diode proizvedene na elektro-kemijski raslim nano- i mikro-stapićima
A. E. Rakhshani
; Physics Department, Faculty of Science, Kuwait University, P.O. Box 5969, Safat 13060, Kuwait
J. Kokay
; Physics Department, Faculty of Science, Kuwait University, P.O. Box 5969, Safat 13060, Kuwait
A. Y. Bumajdad
; Chemistry Department, Faculty of Science, Kuwait University, P.O. Box 5969, Safat 13060, Kuwait
Abstract
Poredani nanoštapići ZnO, narasli na polikristalnoj podlozi, mogli bi naći primjene u optoelektroničkim napravama. Pripremili smo nove uzorke takvih naprava elektro-taloženjem na listiće nerđajućeg čelika primjenom ZnCl2. Postigli smo dobro odvojene i poredane heksagonalne nano-štapiće promjera 100 nm i gusto poredane mikro-štapiće promjera većeg od 1 µm, narasle okomito na podlogu. Primjenom propusne i fotoluminescentne spektroskopije odredili smo (apsorpcijske i emisijske) prijelazne energije uzoraka. Izvješćujemo o izradi visoko-kvalitetnih Ag-Schottky dioda izvedenih na (002) plohama mikro-štapića nakon obrade kisikom. Načinili smo diode s visokim protunaponom (1.1 eV), malom gustoćom struje zasićenja (1.3 pA/cm2 ) i velikim faktorom ispravljanja (5 × 106 na ±3 V). Odredili smo koncentraciju i pokretljivost slobodnih elektrona u kisikom-obrađenim mikro-štapićima od 1.4 × 1014 cm−3 odnosno 1.2 cm2V−1 s −1 .
Keywords
Hrčak ID:
302736
URI
Publication date:
2.5.2010.
Visits: 197 *