Izvorni znanstveni članak

Karakteristike GaAs slojeva evaporiranih elektronskim snopom

Darwish Abdelhady ; Mathematical and Physical Engineering Department, Faculty of Engineering, Ain-Shams University, Abbasia, Cairo, Egypt
Aly Y. Morsy ; Physics Department, Faculty of Education, Ain-Shams University, Heliopolis, Cairo, Egypt
Ahmed A. Atta ; Physics Department, Faculty of Education, Ain-Shams University, Heliopolis, Cairo, Egypt

Sažetak

Tanki filmovi GaAs pripremljeni su tehnikom evaporacije elektronskim snopom. Optičke konstante, određene mjerenjem propusnosti i refleksivnosti svjetla pri normalnom upadu dobro se slažu s onima mjerenim za GaAs pripremljenog drugim tehnikama. Nađen je procijep za direktan optički interband prijelaz od 1,4 eV, kao i visokofrekventna dielektrična konstanta.

Ključne riječi

Hrčak ID:

331798

URI

https://hrcak.srce.hr/331798

Datum izdavanja:

8.4.1991.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 388 *