Original scientific paper
Karakteristike GaAs slojeva evaporiranih elektronskim snopom
Darwish Abdelhady
; Mathematical and Physical Engineering Department, Faculty of Engineering, Ain-Shams University, Abbasia, Cairo, Egypt
Aly Y. Morsy
; Physics Department, Faculty of Education, Ain-Shams University, Heliopolis, Cairo, Egypt
Ahmed A. Atta
; Physics Department, Faculty of Education, Ain-Shams University, Heliopolis, Cairo, Egypt
Abstract
Tanki filmovi GaAs pripremljeni su tehnikom evaporacije elektronskim snopom. Optičke konstante, određene mjerenjem propusnosti i refleksivnosti svjetla pri normalnom upadu dobro se slažu s onima mjerenim za GaAs pripremljenog drugim tehnikama. Nađen je procijep za direktan optički interband prijelaz od 1,4 eV, kao i visokofrekventna dielektrična konstanta.
Keywords
Hrčak ID:
331798
URI
Publication date:
8.4.1991.
Visits: 388 *