Izvorni znanstveni članak
Interakcija kisika s površinom V (111)
Lidija Šiller
; Institute of Physics of the University Zagreb, Bijenička 46, Zagreb, Yugoslavia
Petar Pervan
; Institute of Physics of the University Zagreb, Bijenička 46, Zagreb, Yugoslavia
Milorad Milun
; Institute of Physics of the University Zagreb, Bijenička 46, Zagreb, Yugoslavia
Sažetak
Fotoelektronskim spektroskopijama XPS i UPS te Augerovom spektroskopijom studirana je interakcija kisika s V (111) površinom na temperaturama uzorka 90 i 300 K. Na 90 K nađeno je zasićenje površine nakon ekspozicije od 1.5. Na 300 K površina se zasiti nakon 10 L kisika. Dodatne količine kisika ne povećavaju intenzitet signala u UPS spektrima ali znatno mijenjaju izgled XPS spektara ukazujući da nastaju nova oksidna stanja vanadija. Također je nađeno da penetracija kisika u volumen uzorka počinje kod 200 K.
Ključne riječi
Hrčak ID:
332033
URI
Datum izdavanja:
10.9.1991.
Posjeta: 360 *