Skoči na glavni sadržaj

Izvorni znanstveni članak

Elektrotoplinsko modeliranje i simulacija učinskog MOSFET-a

Željko Jakopović
Viktor Šunde
Zvonko Benčić


Puni tekst: engleski pdf 285 Kb

str. 71-77

preuzimanja: 4.404

citiraj


Sažetak

Za postizanje što bolje optimizacije sklopova i sustava energetske elektronike danas se zahtijeva elektrotoplinska simulacija učinskih poluvodičkih sklopki. Za to su potrebni točni, no ne i presloženi elektrotoplinski modeli učinskih poluvodičkih sklopki, pogodni za primjenu u tržišno dostupnim simulatorima sklopova energetske elektronike. U članku je prikazana IsSpice realizacija elektrotoplinskog modela učinskog MOSFET-a. Model se sastoji od električnog i toplinskog dijela koji međusobno izmjenjuju vrijednost varijabli. Elektrotoplinski model ispitan je mjerenjem na stvarnom sklopu.

Ključne riječi

elektrotoplinska simulacija; modeliranje; učinski MOSFET

Hrčak ID:

6601

URI

https://hrcak.srce.hr/6601

Datum izdavanja:

20.10.2001.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 5.813 *