Original scientific paper

Svojstva epitaksijskih slojeva GaAs načinjenih prenošenjem uz pomoć vodene pare

Szilárd Varga ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P. O. B. 76, H-1325 Hungary
Károly Somogyi ; Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, P. O. B. 76, H-1325 Hungary

Abstract

Homoepitaksijski slojevi GaAs načinjeni su u uvjetima malog razmaka (0.3-1 mm). Prijenos je u vodiku aktiviran vodenom parom na temperaturama 730 – 760 ◦C i 800 – 900 ◦C. Ustanovljene su velike brzine rasta (do 2 µm/min) s koncentracijama nositelja 2×1017 i 2×1016 cm−3 za gornja dva temperaturna područja. Elektronska vodljivost slojeva je relativno niska što ukazuje na visoku kompenzaciju.

Keywords

Hrčak ID:

299471

URI

https://hrcak.srce.hr/299471

Publication date:

2.5.1995.

Article data in other languages: english

Visits: 387 *