Original scientific paper

Bimetalni Ir-Al Schottkyjevi spojevi na GaAs

Tibor Lalinský ; Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Josef Osvald ; Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Zelimira Mozolová ; Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Josef Šišolak ; Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
George Constantinidis ; FORTH, Institute of Electronic Structure & Laser, P.O.Box 1527, 711 10 Heraklion, Crete, Greece

Abstract

Opisuju se novi Ir-Al/GaAs Schottkyjevi spojevi dobiveni uzastopnim naparavanjem Ir-Al bimetalnih slojeva. Električna i toplinska stabilnost spojeva ispituje se I −V mjerenjima i Augerovim dubinskim profiliranjem. Opaženo je povećanje barijere s povećanjem temperature otpuštanja. Za objašnjenje električne i toplinske stabilnosti spojeva, primijenjen je model povećanja barijere zasnovan na čvrstofaznoj epitaksiji AlxGa1−xAs sloja na granici spoja. Predložen je model upravljanja visinom barijere i toplinske stabilnosti granice Ir-Al/n-GaAs.

Keywords

Hrčak ID:

299500

URI

https://hrcak.srce.hr/299500

Publication date:

2.5.1995.

Article data in other languages: english

Visits: 385 *