Original scientific paper

Intrinsični točkasti defekti u polikristaliničnom siliciju

Branko Pivac ; R. Bošković Institute, P. O. Box 180, HR-10002 Zagreb, Croatia
Vesna Borjanović ; Faculty of Electrical Engineering and Computing, Unska 3, HR-10000 Zagreb, Croatia
Ivana Kovačević ; R. Bošković Institute, P. O. Box 180, HR-10002 Zagreb, Croatia

Abstract

Svojstva intrinsičnih točkastih defekata još su uvijek neriješen problem. Svojim međudjelovanjem s drugim defektima i utjecajem na njihovu difuziju, oni mijenjaju elektronska svojstva materijala. Posebno su važni intrinsični točkasti defekti u polikristaliničnom siliciju zbog prisutnosti velikih koncentracija strukturnih defekata, kao što su dislokacije i granice kristalića raznih vrsta. Izravno je opažanje točkastih defekata vrlo teško, pa je stoga promatranje koncentracije ugljika vrlo dobar način određivanja svojstava točkastih defekata. Polikristalinični silicij prezasićen ugljikom predstavlja poseban slučaj u kojemu je snažno usporeno stvaranje vlastitih intersticijskih defekata i praznina sve do najviših temperatura, što stoga vodi na čuvanje ugljikovog prezasićenja u toplinskim obradama.

Keywords

Hrčak ID:

301056

URI

https://hrcak.srce.hr/301056

Publication date:

2.4.2000.

Article data in other languages: english

Visits: 468 *