Izvorni znanstveni članak
Studij defekata uvedenih implantacijom niskoenergetskih kanaliziranih iona p31 u p-tip silicija
B. Etlinger
; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb
N. B. Urli
; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb
U. Spoglia
; Institute "Ruđer Bošković", Zagreb
Sažetak
U silicij p-tipa, vodljivosti 100 Ohm-cm, implantirani su ioni fosfora p31 na sobnoj temperaturi s energijom 40 keV. Smjer implantacije je bio (111). Upotrebljene su doze od 1012 i 1013 iona po cm2. Izvršena su mjerenja zavisnosti temperature Hallovog koeficijenta o vodljivosti slojeva na uzorcima nakon napuštanja na višim temperaturama, počevši od 250°C, uz postepeno skidanje slojeva metodom anodne oksidacije. Nakon napuštanja dobiven je donorski nivo fosfora (Ec - 0.044 eV), te nivoi Ec - 0.21 eV i Ec - 0.42 eV koji pripadaju kompleksima višestrukih praznina i iona fosfora unutar implantiranog sloja. Diskutirana je nehomogenost u raspodjeli tih defekata u ovisnosti o dubini unutar implantiranog sloja, te ovisnost koncentracije defekata o temperaturi napuštanja. Pokazano je da kod gore navedenih uvjeta implantacije ne dolazi do stvaranja degeneriranog sloja unutar silicija.
Ključne riječi
Hrčak ID:
327901
URI
Datum izdavanja:
2.8.1977.
Posjeta: 515 *