Skoči na glavni sadržaj

Pismo uredniku

Some electrical properties of an n-InSe/p-CdTe heterojunction

Mirjana Peršin ; “Ruđer Bošković” Institute, 41001 Zagreb, Yugoslavia
Branko Pivac ; “Ruđer Bošković” Institute, 41001 Zagreb, Yugoslavia
Natko Urli ; “Ruđer Bošković” Institute, 41001 Zagreb, Yugoslavia
Stanko Popović ; “Ruđer Bošković” Institute, 41001 Zagreb, Yugoslavia
Fetah Čavdarbaša ; “Ruđer Bošković” Institute, 41001 Zagreb, Yugoslavia


Puni tekst: engleski pdf 4.122 Kb

str. 279-284

preuzimanja: 0

citiraj


Sažetak

Some electrical properties of a new anisotype heterojunction between indium monoselenide, InSe, and cadmium telluride, CdTe, has been studied in the present paper.

Ključne riječi

Hrčak ID:

329151

URI

https://hrcak.srce.hr/329151

Datum izdavanja:

6.8.1984.

Podaci na drugim jezicima: hrvatski

Posjeta: 0 *

accessibility

closePristupačnostrefresh

Ako želite spremiti trajne postavke, kliknite Spremi, ako ne - vaše će se postavke poništiti kad zatvorite preglednik.