Izvorni znanstveni članak
Jednostavna analiza Burstein-Mossovog pomaka u veoma tankim slojevima bizmuta u ukrštenom električnom i kvantizirajućem magnetskom polju
Sambhunath Banik
; Department of Physics, Belgachia Monohar Academy, 64/77, Belgachia Road, Calcutta 700037, India
Kamakhya Prasad Ghatak
; Department of Electronic Science, University of Calcutta, 92 Acharya Prafulla Chandra Road, University College of Science and Technology, Calcutta-700009, India
Sambhunath Biswas
; Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Bengal Engineering College, Howrah 711103, Post Botanic Garden, West Bengal, India
Sažetak
Učinjen je pokušaj jednostavne teorijske analize Burstein-Mossovog pomaka u veoma tankim slojevima bizmuta u ukrštenom električnom i kvantizirajućem magnetskom polju. U razmatranje je uključen i spin te širenje Landauovih nivoa. Numerički rezultati prikazani su za modele McClurea i Choia, Cohenov, Laxov, te za model eliptičnih paraboličnih energetskih vrpci. Postavljene su relacije za svaki model. Nadeno je da pomak raste smanjenjem debljine sloja i porastom jakosti magnetskog polja. Također, pomak raste s povećanjem koncentracije elektrona. Kvantne oscilacije pokazuju se značajnim, što je u skladu s modelom McClurea i Choia, za razliku od predskazanja drugih modela.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299427
URI
Datum izdavanja:
1.6.1994.
Posjeta: 171 *