Izvorni znanstveni članak

Elastično raspršenje elektrona od površine poroznog sloja silicija p-tipa

Christine Robert ; LASMEA, Universite Blaise-Pascal de Clermont-Ferrand. F-63177 Aubiere, France
Bernard Gruzza ; LASMEA, Universite Blaise-Pascal de Clermont-Ferrand. F-63177 Aubiere, France
Luc Bideux ; LASMEA, Universite Blaise-Pascal de Clermont-Ferrand. F-63177 Aubiere, France
György Gergely ; Res. Inst. Technical Physics, Hung. Acad. Sci., H-1325 Budapest, POB 76, Hungary
Miklós Menyhárd ; Res. Inst. Technical Physics, Hung. Acad. Sci., H-1325 Budapest, POB 76, Hungary
Éva Vázsonyi ; KFKI Mat. Res. Inst., Hung. Acad. Sci. H-1525 POB 49, Hungary

Sažetak

Uzorci slojeva p-silicija načinjeni su na Si(100) pločicama elektrokemijskim postupkom. Metodom elektronske spektroskopije za elastično raspršenje, određena je ovisnost elastičnog refleksijskom faktora, re, o poroznosti uzorka. Refleksijski faktor se smanjuje s povećanjem poroznosti. Jetkanje uzoraka s HF snažno je smanjilo r_e za niske energije elektrona (40 - 100 eV) zbog uklanjanja SiO2 i stvaranja Si–H vezanja na površini. Porozni slojevi i granice proučavani su Augerovom elektronskom spektroskopijom, primjenom snopa Ar+ i dubinskog odredivanja profila uz visoko razlučivanje.

Ključne riječi

Hrčak ID:

299496

URI

https://hrcak.srce.hr/299496

Datum izdavanja:

2.5.1995.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 396 *