Izvorni znanstveni članak
Zamke za nositelje naboja u stupnjevanim InGaAS fotodiodama s velikim sadržajem indija
Natko B. Urli
; Ruđer Bošković Institute, POB 1016, 10001 Zagreb, Croatia
Vladimir S. Ban
; Photodiode-Laserdiode, Inc., Princeton, NJ 08540, U.S.A.
Sažetak
Električnim mjerenjima istražena su svojstva zamki za nositelje naboja koje nastaju pri izradi fotodioda iz In0.82Ga0.18As metodom epitaksijalnog rasta iz parne faze (VPE). U fotodiodama, koje su naknadno napuštane nakon izrade na povišenoj temperaturi, zapažene su dvije skupine lokaliziranih nivoa zamki: jedan plići na Ec − 0, 14 eV i druge dublje nešto ispod sredine zabranjenog energijskog pojasa. Ustanovljeno je da su električki aktivirane dislokacije primjesama odgovorne za pojavu dubljih nivoa.
Ključne riječi
Hrčak ID:
299563
URI
Datum izdavanja:
1.9.1995.
Posjeta: 172 *