Izvorni znanstveni članak
Strukturna svojstva a-Si1−xCx:H SAXS-om i IR spektroskopijom
Davor Gracin
; "R. Bošković" Institute, POB 1016, Bijenička 54, 10000 Zagreb, Croatia
Pavo Dubček
; "R. Bošković" Institute, POB 1016, Bijenička 54, 10000 Zagreb, Croatia
Sažetak
Primijenili smo raspršenje rendgenskog zračenja pod malim kutom (SAXS) i infracrvenu spektrometriju (IR) za analize tankih slojeva a-Si1−xCx:H, napravljenih DC magnetronskim izvorom čestica u prisustvu benzenskih para, za više koncentracija ugljika do x = 0.3. Ugradivanje ugljikovih atoma u a-Si:H ima za posljedicu pojavljivanje IR apsorpcije zbog Si-C i C-H vezanja i slabo smanjenje apsorpcije u području koje odgovara Si-H vezanju. S povećanjem koncentracije ugljika, povećava se frekvencija istezanja Si-H vezanja. Ta frekvencija, koja je u svezi s opisanim promjenama, smatra se posljedicom povećanog udjela praznina i/ili volumena praznine po Si-H oscilatoru. Podaci SAXS za čisti a-Si:H ukazuju na “čestice” sa žiro polumjerom RG = 1.27 nm koji se poveća za veće sadržaje ugljika do RG = 2.05 nm. Te se “čestice” pridjeljuju nakupinama malih praznina. Njihov je volumen reda veličine nekoliko jednoatomskih praznina u siliciju.
Ključne riječi
Hrčak ID:
300966
URI
Datum izdavanja:
1.7.1999.
Posjeta: 191 *