Izvorni znanstveni članak

Proučavanje strukturnih defekata u zakaljenim i ozračenim monokristalima GaAs

S, Marić ; Institute of Physics, Faculty of Science, Sarajevo
M. Stojić ; "Boris Kidrič" Institute of Nuclear Sciences, Belgrade

Sažetak

Proučavani su termički defekti, kao i defekti koji su indukovani neutronima i gama zračenjem Co60 u n- i p-GaAs. Otkrivena su tri stanja odgrevanja. Stanje I (260-320°C) koje je prisutno samo u ozračenim uzorcima, pripisano je odgrevanju sopstvenih defekata. Stanje II (oko 400°C) objašnjeno je kao dezintegracija kompleksa primera-defekat. Defekti koji s primesama formiraju komplekse, a koji su pokretni na sobnoj temperaturi, su negativno naelektrisani u n-GaAs. U p-GaAs njihovo stanje naelektrisanja zavisno je od položaja Fermijevog nivoa tako da su na sobnoj temperaturi negativni a na višim temperaturama pozitivni. Stanje III (450-530°C) objašnjeno je kao odgrevanje klastera defekata. Defekti koji su indukovani kaljenjem, neutronima i gama zračenjem, a koji su stabilni do 200°C, su slični međusobom.

Ključne riječi

Hrčak ID:

328262

URI

https://hrcak.srce.hr/328262

Datum izdavanja:

1.9.1982.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 464 *