Izvorni znanstveni članak

Uticaj mangana na električne osobine Hg1-xMnxSe

Borko Stošić ; Boris Kidrič Institute of Nuclear Sciences, P. O. Box 522, 11000. Belgrade, Yugoslavia
Miodrag Stojić ; Boris Kidrič Institute of Nuclear Sciences, P. 0. Box 522, 11000. Belgrade, Yugoslavia
Branka Babić-Stojić ; Boris Kidrič Institute of Nuclear Sciences, P. 0. Box 522, 11000. Belgrade, Yugoslavia
Olga Žižić ; Faculty of Mechanical Engineering, 11000 Belgrade, Yugoslavia

Sažetak

Izvršena su merenja električne otpornosti i Hall-ovog efekta na kristalima Hg1-xMnxSe sa koncentracijom mangana x = 0,09, 0,11, 0,15 i 0,18 u temperaturskom intervalu 77-300 K. Ustanovljeno je da električna otpornost raste sa porastom temperature, a da je koncentracija slobodnih nosilaca reda 1017 cm-3 i gotovo ne zavisi od temperature u svim ispitivanim kristalima. Dva mehanizma rasejanja, spinsko rasejanje i fononsko rasejanje imaju dominantan uticaj na transportne osobine sistema i oba zavise kako od koncentracine mangana, tako i od temperature.

Ključne riječi

Hrčak ID:

329998

URI

https://hrcak.srce.hr/329998

Datum izdavanja:

7.1.1986.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 429 *