Izvorni znanstveni članak

Visokobrzinski odziv asimetričnog Fabry-Perotovog refleksijskog modulatora zasnovanog na višestrukoj GaAs/AlGaAs kvantnoj jami

Muhammad Nawaz ; Institute of Physics, Electronics Group, University of Oslo, Norway
Borgar Torre Olsen ; Institute of Physics, Electronics Group, University of Oslo, Norway
Karen McIlvaney ; Institute of Physics, Electronics Group, University of Oslo, Norway

Sažetak

Načinjena su istraživanja odziva asimetričnog Fabri-Perotovog (ASFP) refleksijskog modulatora zasnovanog na GaAs/AlGaAs višestrukoj kvantnoj jami na visokim frekvencijama. Mjereni pojas modulatora na razini 3 dB bio je 600 MHz pri naponu od samo 5 V na valnoj duljini od 834 nm. Kontrastni omjer modulatora iznosio je 8.9 dB za napon signala od 13 V za valnu duljinu od 862 nm.

Ključne riječi

Hrčak ID:

299387

URI

https://hrcak.srce.hr/299387

Datum izdavanja:

1.5.1993.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 177 *