Izvorni znanstveni članak

Početna istraživanja Ag/n–Si(111) Schottkyjeve fotodiode načinjene snopom ioniziranih atomskih nakupina

Bruno Cvikl ; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Tomo Mrđen ; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Matjaž Koželj ; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija
Dean Korošak ; Faculty of Civil Engineering, University of Maribor and "J. Stefan'' Institute, University of Ljubljana, Ljubljana, Slovenija

Sažetak

Izmjerena je foto-osjetljivost Ag/n-Si(111) Schottkyjeve fotodiode koja je načinjena snopom ioniziranih atomskih nakupina uz Ag+ napon ubrzanja jednak nuli. Ustanovljena je visoka kvantna djelotvornost (do 85%) i osjetljivost od 0.35 A/W uz zaprečni napon. Za niske zaprečne napone (do 1 V) fotostruja pokazuje neobičnu ovisnost debljine sloja osiromašenja o naponu. Nije poznato objašnjenje tih opažanja.

Ključne riječi

Hrčak ID:

299495

URI

https://hrcak.srce.hr/299495

Datum izdavanja:

2.5.1995.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 349 *