hrcak mascot   Srce   HID

Izvorni znanstveni članak
https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177

Wide Band Gap poluvodički sklopivi za učinsku elektroniku

José Millán ; Centro Nacional de Microelectrónica, CNM, Instituto de Microelectrónica de Barcelona, IMB, CSIC, Campus UAB, Spain
Philippe Godignon ; Centro Nacional de Microelectrónica, CNM, Instituto de Microelectrónica de Barcelona, IMB, CSIC, Campus UAB, Spain
Amador Pérez-Tomás ; Centro Nacional de Microelectrónica, CNM, Instituto de Microelectrónica de Barcelona, IMB, CSIC, Campus UAB, Spain

Puni tekst: engleski, pdf (982 KB) str. 107-116 preuzimanja: 7.878* citiraj
APA 6th Edition
Millán, J., Godignon, P. i Pérez-Tomás, A. (2012). Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics. Automatika, 53 (2), 107-116. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177
MLA 8th Edition
Millán, José, et al. "Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics." Automatika, vol. 53, br. 2, 2012, str. 107-116. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177. Citirano 27.10.2021.
Chicago 17th Edition
Millán, José, Philippe Godignon i Amador Pérez-Tomás. "Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics." Automatika 53, br. 2 (2012): 107-116. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177
Harvard
Millán, J., Godignon, P., i Pérez-Tomás, A. (2012). 'Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics', Automatika, 53(2), str. 107-116. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177
Vancouver
Millán J, Godignon P, Pérez-Tomás A. Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics. Automatika [Internet]. 2012 [pristupljeno 27.10.2021.];53(2):107-116. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177
IEEE
J. Millán, P. Godignon i A. Pérez-Tomás, "Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics", Automatika, vol.53, br. 2, str. 107-116, 2012. [Online]. https://doi.org/10.7305/automatika.53-2.177

Sažetak
U današnje vrijeme napredak u polju učinske elektronike prvenstveno dolazi razvojem i uporabom Wide Band Gap (WGB) poluvodičkih uređaja. WBG poluvodi či kao Sic, GaN i dijamant pokazuju iznimna svojstva materijala, što omogućuje korištenje pri brzim promjenama stanja, visokim naponima i visokim temperaturama. Ova jedinstvena svojstva osiguravaju kvalitativne promjene njihovom primjenon u obradi energije. Od početnih energenata (ugljen, ulje, plin ili obnovljivi izvori) do završne faze korištenja (kućanstvo, prijevoz, industrija) električna energija prolazi kroz različite faze pretvorbe energije koje su trenutno prilično neefikasne o čemu govori podatak da se samo 20% početne energije iskoristi u konačnoj fazi. WGB poluvodiči povečavaju efikasnost pretvorbe zahvaljujući izvanrednim svojstvima materijala. U radu je dan pregled nedavnog napretka u razvoju visoko-naponskih WGB poluvodiča, posebno SiC i GaN te je dan pregled svojstava predstavljenih ispravljača i sklopki. Također u radu su opisani materijali i tehnologija WGB poluvodičkih uređaja te je opisan budući trend u razvoju uređaja i njihovom korištenju u industriji.

Ključne riječi
SiC; GaN; uređaji učinske elektronike; ispravljači; MOSFET; HEMT

Hrčak ID: 84008

URI
https://hrcak.srce.hr/84008

[engleski]

Posjeta: 8.362 *