Hrčak
Portal znanstvenih časopisa Republike Hrvatske
AUTOMATIKA: časopis za automatiku, mjerenje, elektroniku, računarstvo i komunikacije, Vol.53 No.2 Lipanj 2012.
Izvorni znanstveni članak
10.7305/automatika.53-2.178
Prikaz stanja silicijevih MOS upravljanih učinskih sklopova i PiN ispravljača
José Rebollo
; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Ignasi Cortés
; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Xavier Perpiñà
; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
José Millán
; Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB), Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Puni tekst: pdf (2 MB),
Engleski,
Str. 117 - 127
,
Sažetak
U posljednjim desetljećima svjedočimo razvoju sustava učinske elektronike u pogledu povećanja efikasnosti i pouzdanosti. Napredak je omogućen zahvaljujući izvanrednom napredku koji je postignut na području učinskih poluvodiča. Pojava MOS upravljanih učinskih sklopova s visokom ulaznom impedancijom, kao što su MOSFET i IGBT, rezultirao je probojem u projektiranju i proizvodnji sustava učinske elekronike. Ovaj članak daje uvid u napredak koji je u posljednje vrijeme ostvaren u razvoju silicijeve MOS upravljane učinske elektronike i ispravljača. Uz dosadašnji razvoj tehnologije navedenih komponenata, u članku je uključen i osvrt na revolucionarne koncepte budućeg razvoja. Konkretno, u radu su objašnjene tehnologija rova za MOSFET i korištenje koncepta super spoja za probijanje granice jednodimenzionalnog silicija. Razmatrana su i poboljšanja IGBT-ova koja se baziraju na uporabi tankih pločica a strategijama optimiranja distribucije plazme u PT IGBT-ovima za vrijeme aktivnog stanja. Konačno, prikazan je i napredak u tehnologiji PiN dioda koji uključuje nove strukturalne koncepte katode i anode. Ovi pristupi su omogućili smanjenje ukupnih gubitaka PiN diode i blagu dinamiku reverznog oporavka, što rezultira povećanjem robusnosti sklopa.
Ključne riječi
MOS upravljani učinski sklopovi; učinski MOSFET; CoolMOS; super-junction sklopovi; IGBT sklopovi; PiN ispravljači
Moj profil