Izvorni znanstveni članak

Visina Schottkyjeve barijere Pb/Si(111)1×1–H

Jozef Osvald ; Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 842 39 Bratislava, Slovakia
Karol Hricovini ; Laboratoire pour l'Utilisation du Rayonnement Electromagnetique, Centre Universitaire Paris-Sud, Bat. 209 D, F-91405 Orsay Cedex, France
Guy Le Lay ; Centre de Recherche sur les M\' ecanismes de la Croissance Cristalline - Centre National de la Recherche Scientifique, Campus Luminy, Case 913, F-13288 Marseille Cedex 09, France
Viktor Yu Aristov ; Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow Distr., Russia, 142432

Sažetak

Električnim mjerenjima i rendgenskom fotoelektronskom spektroskopijom (XPS) proučavana je visina Schottkyjeve barijere olova na n– i p– idealno završenoj nerekonstruiranoj površini Si(111)1×1–H. Hidrogenizacija Si(111) površine načinjena je jetkanjem u vodenoj otopini HF i NH4F. Olovo je napareno u ultravisokom vakuumu. Opažena je neusklađenost rezultata za visinu barijere I −V i XPS mjerenjima, što se tumači lošom močivošću Pb na Si(111)1 × 1–H i mogućom obnovom površine Si pod debljim slojem Pb.

Ključne riječi

Hrčak ID:

299468

URI

https://hrcak.srce.hr/299468

Datum izdavanja:

2.5.1995.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 143 *