Original scientific paper
Istraživanje kapaciteta upravljačke elektrode MOS strukture Si s inverzionim slojevima
Kamakhya Prasad Ghatak
; Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Faculty of Engineering and Technology, University of Jadavpur, Calcutta-700 032, India
Bhaswati Mitra
; Office of the Controller of Examinations, University of Jadavpur, Calcutta-700 032, India
Abstract
Razmatran je kapacitet upravljačke elektrode MOS strukture Si sa p i n inverzionim slojevima u granici slabih polja. Pri tome je korištena nova formulacija za energetski spektar nosilaca naboja u dvije dimenzije. Nađeno je da kapacitet za oba inverziona sloja raste s naponom na elektrodi i porastom površinskog električnog polja. Teorijski opis u dobrom je slaganju s eksperimentalnim opažanjima što su objavljena u drugim radovima. Dobiveni su i rezultati za paraboličnu vrpcu.
Keywords
Hrčak ID:
331730
URI
Publication date:
4.12.1989.
Visits: 519 *