Izvorni znanstveni članak

Istraživanje kapaciteta upravljačke elektrode MOS strukture Si s inverzionim slojevima

Kamakhya Prasad Ghatak ; Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Faculty of Engineering and Technology, University of Jadavpur, Calcutta-700 032, India
Bhaswati Mitra ; Office of the Controller of Examinations, University of Jadavpur, Calcutta-700 032, India

Sažetak

Razmatran je kapacitet upravljačke elektrode MOS strukture Si sa p i n inverzionim slojevima u granici slabih polja. Pri tome je korištena nova formulacija za energetski spektar nosilaca naboja u dvije dimenzije. Nađeno je da kapacitet za oba inverziona sloja raste s naponom na elektrodi i porastom površinskog električnog polja. Teorijski opis u dobrom je slaganju s eksperimentalnim opažanjima što su objavljena u drugim radovima. Dobiveni su i rezultati za paraboličnu vrpcu.

Ključne riječi

Hrčak ID:

331730

URI

https://hrcak.srce.hr/331730

Datum izdavanja:

4.12.1989.

Podaci na drugim jezicima: engleski

Posjeta: 389 *